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taiki fukusima
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SiOx/TiO₂積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価 (シリコン材料・デバイス)
2013
IEICE technical report. Speech
teruo oota
taiki fukusima
katunori makihara
hideki murakami
seiitirou higasi
seiiti miyazaki
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SiO_x/TiO_2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
2013
SDM | SIAM International Conference on Data Mining
teruo oota
taiki fukusima
katunori makihara
hideki murakami
seiitirou higasi
seiiti miyazaki
Akio Ohta
Motoki Fukushima
Katsunori Makihara
Hideki Murakami
Seiichiro Higashi
Seiichi Miyazaki
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Pt/SiOx/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価
2012
taiki fukusima
teruo oota
katunori makihara
seiiti miyazaki
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Pt/SiO_x/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
2012
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Motoki Fukushima
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Katsunori Makihara
Seiichi Miyazaki
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