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Pt/SiO_x/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
Pt/SiO_x/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
2012
taiki fukusima
teruo oota
katunori makihara
seiiti miyazaki
Motoki Fukushima
Akio Ohta
Katsunori Makihara
Seiichi Miyazaki
Keywords:
Nanotechnology
Computer science
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