Vorrichtung zur Sputterbeschichtung mit variierbarem Plasmapotential

1998 
Der Erfindung, die eine Vorrichtung zur Sputterbeschichtung mit variierbarem Plasmapotential mit einer Vakuumkammer, in der gegenuber eines Substrates ein Doppelmagnetron angeordnet ist, dessen einzelne Magnetrons potentialfrei an den Ausgang einer bipolaren Stromversorgung angeschlossen sind, betrifft, liegt die Aufgabe zugrunde, die Hohe des Plasmapotentials zu erhohen, um somit eine Beeinflussung der Schichtqualitat zu erreichen. DOLLAR A Dies wird dadurch gelost, das eine Zusatzelektrode vorgesehen ist, die zumindest in einem Plasmaraum zwischen den einzelnen Magnetrons und dem Substrat angeordnet ist und die gegenuber Masse mit einer Zusatzspannung vorgespannt ist.
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