Dégradation des MESFETs GaAs : mécanismes liés à l'interface GaAs/SiO2

Nous montrons que les derives a long terme observees sur des MESFETs GaAs de puissance, proteges avec une couche de SiO2, sont dues a une degradation de l'interface GaAs/SiO2. La mise en oeuvre de microanalyses Auger (taille du faisceau ≃ 0,1-0,2 μm), nous a permis d'identifier une exodiffusion de gallium, induite lors du depot de silice, ainsi qu'un mecanisme d'oxydation de GaAs pendant le fonctionnement. Ces reactions modifient les proprietes electriques de la surface dans les zones d'acces, expliquant ainsi les derives observees sur les parametres statiques et hyperfrequences.