Mirror for the EUV wavelength range, a substrate for such a mirror, using a quartz layer of such a substrate, projection objective for microlithography with such a mirror or such a substrate and Projetktionsbelichtungsanlage for microlithography comprising such a projection lens

Die Erfindung betrifft einen Spiegel (1a; 1a'; 1b; 1b'; 1c; 1c') fur den EUV-Wellenlangenbereich umfassend ein Substrat (S) und eine Schichtanordnung, wobei die Schichtanordnung mindestens ein Schichtteilsystemen (P''') umfasst, welches aus einer periodischen Abfolge von mindestens zwei Perioden (P 3 ) an Einzelschichten besteht, wobei die Perioden (P 3 ) zwei Einzelschichten aus unterschiedlichen Materialien fur eine hoch brechende Schicht (H''') und eine niedrig brechende Schicht (L''') umfassen, wobei die Transmission an EUV-Strahlung durch die Schichtanordnung hindurch weniger als 10%, insbesondere weniger als 2% betragt. Ferner betrifft die Erfindung einen Spiegel (1a; 1a'; 1b; 1b'; 1c; 1c') fur den EUV-Wellenlangenbereich umfassend ein Substrat (S) und eine Schichtanordnung, wobei die Schichtanordnung mindestens ein Schichtteilsystemen (P''') umfasst, welches aus einer periodischen Abfolge von mindestens zwei Perioden (P 3 ) an Einzelschichten besteht, wobei die Perioden (P 3 ) zwei Einzelschichten aus unterschiedlichen Materialien fur eine hoch brechende Schicht (H''') und eine niedrig brechende Schicht (L''') umfassen, wobei die Schichtanordnung mindestens eine Schutzschicht (SPL, L p ) oder mindestens ein Schutzschichtteilsystem (SPLS) mit einer Dicke von groser 20 nm, insbesondere 50 nm umfasst, wobei die Schutzschicht (SPL, L p ) oder das Schutzschichtteilsystem (SPLS) unter EUV-Strahlung eine Volumenanderung von weniger als 1%, insbesondere weniger als 0,2% erfahren.