Verfahren zur Durchführung einer Doppel- oder Mehrfachbelichtung

Verfahren zur Durchfuhrung einer Doppel- oder Mehrfachbelichtung eines Resists fur die Ubertragung wenigstens zweier voneinander verschiedener Strukturmuster (51, 52) in genau eine auf einem Halbleiterwafer (8) angeordnete Schichtebene, umfassend die Schritte: – Bereitstellen einer Maske (4', 4''), die in einem ersten Teil das erste Strukturmuster (51) und in einem zweiten Teil das zweite Strukturmuster (52) umfasst; – Beladen genau eines Maskensubstrathalters (31, 32, 33) ei nes einen Belichtungsschlitz (60) aufweisenden Wafer-Scanners als Belichtungsapparat (1) mit der Maske (4', 4''); – Justieren des genau einen Maskensubstrathalters (31, 32, 33), so dass in einer ersten Position der erste Teil der Maske (4', 4'') in den Strahlengang einer Projektionsoptik (6) in dem Belichtungsapparat (1) gelangt, um einen ersten Satz von Justierparametern zu bestimmen; – Justieren des genau einen Maskensubstrathalters (31, 32, 33), so dass in einer zweiten Position der zweite Teil der Maske (4', 4'') in den Strahlengang den...