Mask blank mask blank with a negative resist film, the phase shift mask and method for manufacturing a body formed by a pattern using the same

Die vorliegende Erfindung sieht einen Maskenrohling vor, welcher verwendet wird, um eine Halbton-Phasenverschiebungsmaske herzustellen, auf die ein ArF-Excimerlaser-Belichtungslicht zu richten ist. Die vorliegende Erfindung erreicht das Ziel, indem der Maskenrohling vorgesehen wird, der ein transparentes Substrat und eine halblichtdurchlassige Schicht, die auf dem transparenten Substrat gebildet ist und nur aus Si und N besteht, oder eine halblichtdurchlassige Schicht, die auf dem transparenten Substrat gebildet ist und nur aus Si, N und O besteht, umfasst, und ist dadurch gekennzeichnet, dass die halblichtdurchlassige Schicht einen Extinktionskoeffizienten von 0,2 bis 0,45 bei einer Wellenlange des ArF-Excimerlaser-Belichtungslichts, einen Brechungsindex von 2,3 bis 2,7 bei der Wellenlange des ArF-Excimerlaser-Belichtungslichts und eine Transmittanz von 15% bis 38% bei der Wellenlange des ArF-Excimerlaser-Belichtungslichts aufweist, und ferner eine Schichtdicke von 57 nm bis 67 nm hat.