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kadono takesi
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高感度CMOSイメージセンサ向けシリコンウェーハの製品設計-炭化水素分子イオン注入によるSiO 2 /Si界面準位の制御-
2020
okuyama ryousuke
masada ayumi
suzuki akihiro
kobayasi kouzi
sigematu satosi
hirose ryou
kadono takesi
koga yosiyasu
kurita kazunari
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炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(5)―X線光電子分光法による注入欠陥形成の解析―
2017
kadono takesi
okuyama ryousuke
masada ayumi
hirose ryou
sigematu satosi
koga yosiyasu
okuda hidehiko
kurita kazunari
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炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(1)―TCADによる注入層の軽元素捕獲・拡散挙動の理論解析―
2017
okuyama ryousuke
sigematu satosi
hirose ryou
masada ayumi
kadono takesi
koga yosiyasu
okuda hidehiko
kurita kazunari
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