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junpei iwata

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急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性 (シリコン材料・デバイス)

2017 IEICE technical report. Speech
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急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性

2017 IEICE technical report. Speech
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C-12-1 Hi-Zアンテナと閾値調整Gate Controlled Diodeを使った高効率環境即発電(C-12.集積回路,一般セッション)

2016
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