Electron Transport Property of CdTe under High Pressure and Moderate Temperature by In-Situ Resistivity Measurement in Diamond Anvil Cell

在 situ 抵抗力，测量被执行了在 adesigned 钻石铁砧房间在高压力和中等温度下面调查动力的 CdTe 的 theelection 运输性质。几个反常抵抗力变化能在压力增加从的房间 temperaturewhen 被发现对 33 GPa 周围。在大约 3.8GPa 和 10 GPa 的反常抵抗力变化被结构的阶段转变分别地引起到岩石盐阶段并且到 Cmcmphase。在大约 6.5 GPa 的另外的反常抵抗力变化， 15.5 GPa，大约 30 GPa 以前从来没观察的 22.2 GPAand 由于 CdTe 的电子阶段转变。反常变化的 Theorigin 发生在大约 6.5 GPa 被讨论。CdTe 的温度依赖 ofthe 抵抗力至少在 11.3 GPa 前显示出它的半导体的行为。