ルテニウム錯体、その製造方法、及び薄膜の製造方法
2002
(57)【要約】
【課題】融点が低く、気化特性に優れ、かつ基板上での 成膜温度が低い有機金属化合物を提供し、それを原料と してCVD法によりルテニウム含有薄膜を製造する。
【解決手段】一般式[1]
【化1】
で表される有機ルテニウム化合物[具体例 2,4−ジ メチル−ペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニ ル)ルテニウム]又は一般式[7]
【化2】
で表される有機ルテニウム化合物[具体例 カルボニル ビス(2−メチル−1,3−ペンタジエン)ルテニウ ム]を原料とし、化学気相蒸着法等によりルテニウム含 有薄膜を製造する。
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