ルテニウム錯体、その製造方法、及び薄膜の製造方法

(57)【要約】 【課題】融点が低く、気化特性に優れ、かつ基板上での 成膜温度が低い有機金属化合物を提供し、それを原料と してＣＶＤ法によりルテニウム含有薄膜を製造する。 【解決手段】一般式［１］ 【化１】 で表される有機ルテニウム化合物［具体例 ２，４−ジ メチル−ペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニ ル）ルテニウム］又は一般式［７］ 【化２】 で表される有機ルテニウム化合物［具体例 カルボニル ビス（２−メチル−１，３−ペンタジエン）ルテニウ ム］を原料とし、化学気相蒸着法等によりルテニウム含 有薄膜を製造する。