INVESTIGATION OF THE SPUTTERING CONDITIONS ON THE DEPOSITION OF THE NbN THIN FILMS ONTO GLASS AND Si/SiO SUBSTRATES

NbN ince filmler elektronik cihazlar icin cok kullanisli super iletken malzemelerdir. Puskurtme biriktirme teknigini kullanmasi teknoloji uygulamalari icin cam veya SiO uzerinde NbN ince filmlerin uretilmesi icin ucuz bir alternatiftir. . Bu calismada, NbN ince filmler, reaktif magnetron puskurtme yontemi ile cam, Si ve SiO alt tabakalari uzerine kaplanmistir. Saf Nb metali, Argon ve azot gazlarinin farkli karsim oranlarinda NbN ince filmlerinin uretimi icin kullanilmistir. Cesitli alttas sicakliklari, puskurtme gucu ve Argon / Azot gazi oraninin superiletken gecis sicakligi (T c )  uzerine etkileri arastirilmistir. Alttas sicakliginin veya puskurtme gucunun arttirilmasinin T c 'yi de arttigi gorulmustur. Bunun sonunda optimum sicaklik degerleri, direnc-sicaklik (R-T) egrileri ve Artik Direnc Orani (RRR) hesaplamasi yardimi ile bulunmustur. Kaplama sirasindaki alttas sicakliginin ve azot gazi akis degerlerinin tercih edilen yonlendirmeyi guclu bir sekilde etkiledigi gozlenirken, ince filmlerin kritik sicakligi orijinal vakumun kalitesinden etkilenmektedir. A yrica T c uretilen NbN filmlerinin kalitesi kaplama islemi suresindeki Azot ve Argon basinclarina da oldukca bagimlidir.