Circuit integre a semi-conducteur complementaire a l'oxyde de metal dans lequel sont utilises un drain et une source sureleves et une grille metallique de remplacement

L'invention concerne un circuit integre a semi-conducteur complementaire a l'oxyde de metal pouvant comprendre un dispositif PMOS comportant une grille metallique de remplacement et un drain et une source sureleves. Le drain et la source sureleves peuvent etre obtenus par depot epitaxique de germanium-silicium dope de type p. Le traitement de la grille metallique de remplacement permet d'obtenir une electrode de grille metallique et peut comprendre l'enlevement d'une couche d'arret de gravure de nitrure.