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Si(111)基板上に作製した3C‐SiC薄膜のダブルポジショニングバウンダリーの低減
Si(111)基板上に作製した3C‐SiC薄膜のダブルポジショニングバウンダリーの低減
2004
kusunoki mori tuyosi
mutou hatizou
okada masahisa
Jin P
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