Procede de nettoyage d'une chambre de traitement

L'invention porte sur un procede de nettoyage in situ d'une chambre de depot d'un materiau semi-conducteur tel que du titane, ou du nitrure de titane consistant a introduire entre les tranches du chlore gazeux a temperature elevee, et a purger la chambre avec un gaz inerte evacue avant l'introduction de la tranche suivante. Un autre procede de nettoyage en deux etapes consiste a introduire du chlore a temperature elevee dans la chambre puis a y creer un plasma sans retirer le chlore, puis a purger la chambre avec un gaz inerte evacue avant l'introduction de la tranche suivante. L'execution preferee consiste a deposer une mince couche protectrice de titane sur la surface interieure de la chambre avant de l'utiliser pour le depot de ce meme materiau, ladite couche de titane etant regarnie apres chaque nettoyage en deux etapes.