Traitement d'un substrat semiconducteur au moyen d'un disque dur contenant du carbone depose a basse temperature

Un procede de traitement d'une structure de film mince sur un substrat semiconducteur au moyen d'un masque a ecriture optique consiste a placer le substrat dans une chambre de reacteur, le substrat comportant sur sa surface une couche cible devant etre gravee conformement a un motif predetermine puis a deposer une couche de masque dur contenant du carbone, sur le substrat au moyen d'un processus qui consiste (a) a introduire, dans la chambre, un gaz de traitement contenant du carbone, (b) a generer un courant de plasma RF toroidal reentrant dans le chemin de reentree qui comprend une zone de traitement recouvrant la piece a travailler, par couplage de la puissance de la source RF de plasma a une partie externe du chemin de reentree et (c) a coupler la puissance de polarisation du plasma RF ou la tension de polarisation, a l'element a travailler. Le procede consiste egalement a definir par un processus photolithographique, le motif predetermine dans la couche de masque dur contenant du carbone et a graver la couche cible en presence de la couche de masque dur.