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シリコンナノワイア金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタを用いた可変障壁を有する単一電子トンネル・トランジスタ
シリコンナノワイア金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタを用いた可変障壁を有する単一電子トンネル・トランジスタ
2006
Fujiwara Akira
Inokawa Hiroshi
Yamazaki Kenji
Namatsu Hideo
Takahashi Yasuo
M Zimmerman Neil
B Martin Stuart
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