Croissance de nitrure de gallium à plan m {10-10} non polaire planar par épitaxie en phase vapeur de l'hydrure (hvpe)

L'invention porte sur un procede de croissance de matiere de nitrure du groupe III a plan m non polaire planar, telle qu'une couche epitaxiale de nitrure de gallium (GaN) a plan m, la matiere de nitrure du groupe III etant amenee a croitre sur un substrat approprie, tel qu'un substrat en saphir a plan m, a l'aide de l'epitaxie en phase vapeur de l'hydrure (HVPE). Le procede comprend le pretraitement in situ du substrat a des temperatures elevees dans une atmosphere d'ammoniac et d'argon, la croissance d'une couche intermediaire telle qu'un nitrure d'aluminium (AlN) ou un nitrure d'aluminium-gallium (AlGaN) sur le substrat recuit et la croissance de la couche epitaxiale de nitrure du groupe III a plan m non polaire sur la couche intermediaire par HVPE. L'invention porte egalement sur divers procedes en variante.