Procédés de formation de couches minces de titanate de strontium

Dans certains de ses modes de realisation, la presente invention se rapporte a des procedes de formation d'une couche mince de titanate de strontium (SrTiO 3 ) par depot de couches atomiques (ALD). De facon plus specifique, le procede consiste a former une pluralite de couches minces unitaires d'oxyde de titane (TiO 2 ) par depot ALD et a former une pluralite de couches minces unitaires d'oxyde de strontium (SrO) par depot ALD. L'epaisseur combinee des couches minces unitaires de TiO 2 et de SrO est de moins de 5 angstroms environ. Les couches minces unitaires de TiO 2 et de SrO sont ensuite recuites pour former une couche mince de titanate de strontium.