Bond island support structure in semiconductor chip

Halbleiterchip, welcher umfasst: eine Vielzahl miteinander verbundener Lagen Verbindungsmetallisierung (11, 13); mindestens eine Lage verformbaren dielektrischen Materials (14) uber der Verbindungsmetallisierung (13); eine Stutzstruktur (80; 90), welche mit dem verformbaren dielektrischen Material (14) verbunden ist; und mindestens eine Eingangs-/Ausgangs-Bondinsel (11) verbunden mit der Stutzstruktur (80; 90), wobei die Stutzstruktur (80; 90) in einem stutzenden Verhaltnis zur Bondinsel (11) steht, um ein Brechen des verformbaren dielektrischen Materials (14) zu vermeiden, wobei die Stutzstruktur (80; 90) metallische Stutzenstrukturen enthalt, die sich von der letzten Metallisierungslage (11) der Verbindungsmetallisierung (11, 13) in das verformbare dielektrische Material (14) erstrecken, gekennzeichnet dadurch dass die metallischen Stutzenstrukturen (80; 90) eine Vielzahl metallischer Blocke (12) enthalten, die in unmittelbar aufeinander folgenden Ebenen versetzt zueinander gestapelt innerhalb der mindestens einen Lage des dielektrischen Materials (14) angeordnet sind.