Metal - method of depositing a metal layer from the carbonyl precursor.

【課題】 金属−カルボニルプリカーサから金属層を堆積させる方法を提供することである。 【解決手段】 熱化学気相成長（ＴＣＶＤ）プロセスによって半導体基板上に金属層を堆積させる方法を提供する。 ＴＣＶＤプロセスは、金属層を堆積させるように金属−カルボニルプリカーサを含む希釈したプロセスガスの大流量を利用する。 本発明の１つの実施形態では、金属−カルボニルプリカーサは、Ｗ（ＣＯ） ６ 、Ｎｉ（ＣＯ） ４ 、Ｍｏ（ＣＯ） ６ 、Ｃｏ ２ （ＣＯ） ８ 、Ｒｈ ４ （ＣＯ） １２ 、Ｒｅ ２ （ＣＯ） １０ 、Ｃｒ（ＣＯ） ６ 、およびＲｕ ３ （ＣＯ） １２ の少なくとも１つから選ばれることができる。 本発明の別の実施形態では、約４１０℃の基板温度および約２００ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力で、Ｗ（ＣＯ） ６ プリカーサを含むプロセスガスよりＷ層を堆積させる方法は、提供される。 【選択図】