A method for introducing a trench in a semiconductor substrate and for depositing a covering layer

Verfahren zum Einbringen einer Grabenstruktur (4) in ein Halbleitersubstrat (1), bei dem – das aus einem Halbleitermaterial aus Silizium gebildete Halbleitersubstrat (1) bereitgestellt, – auf einer Prozessoberflache (10) des Halbleitersubstrats (1) eine Spannungspufferschicht (2) und auf der Spannungspufferschicht (2) ein Schutzschichtabschnitt (3b) einer Maske (3) aus einem Material mit einem sich von dem des Halbleitermaterials wesentlich unterscheidenden Ausdehnungskoeffizienten vorgesehen, – die Maske (3) durch einen photolithographischen Prozess strukturiert und – die Struktur der Maske (3) in das Halbleitersubstrat (2) abgebildet und dabei im Halbleitersubstrat (1) die Grabenstruktur (4) ausgebildet wird, wobei die Spannungspufferschicht (2) durch thermische Nitridation des Halbleitermaterials aus Silizium erzeugt wird.