Новый сухой метод формирования маскирующего изображения (рельефа) непосредственно в процессе электронно-лучевого экспонирования резиста

Предложен новый сухой метод электронно-лучевого травления некоторых позитивных резистов непосредственно в процессе экспонирования. Показано, в частности, что экспонирование ПММА-резиста (слой толщиной 80–85 нм на Si-пластине) электронами с энергией 15–20 кэВ в вакууме при температурах 115–170°C (выше температуры стеклования ПММА) приводит к эффективному травлению резиста при сравнительно небольших дозах экспонирования, в 10–100 раз меньших доз экспонирования этого резиста в традиционной “мокрой” литографии. Предполагается, что процесс прямого травления протекает по механизму радикально-цепной деполимеризации ПММА-резиста до мономера. Показана высокая эффективность предложенного метода при формировании в ПММА-резисте пространственных 3D структур.