L'effet de la température et de la tension sur des vieillissements HTRB et HTGB pour des HEMTs GaN de puissance

Des vieillissements par palier de type HTRB et HTGB ont ete menes sur des transistors HEMTs de puissance en GaN. Des variations de tension ou de temperature ont ete effectuees afin de mieux comprendre l'effet de chaque cofacteur de vieillissement. Les tests ont demontre l'apparition de differents modes de defaillance en fonction de la plage de temperature. Ce travail a ete realise afin de caracteriser et verifier les plages sur lesquels differents mecanismes de defaillance peuvent etre actives sur ce type de composants et sur quelles plages de temperatures ces mecanismes peuvent se superposer.