Überkonformes Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur

Herstellungsverfahren fur eine Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1) mit einem Graben (5); und Abscheiden einer Fullschicht (10b) aus dotiertem Silizium zum Auffullen des Grabens (5) und Bedecken der umgebenden Struktur mittels eines uberkonformen Abscheideverfahrens, das eine durch einen Dotierungskonzentrationsgradienten bewirkte uberkonforme Abscheiderate aufweist, wodurch der Graben (5) zumindest teilweise von unten nach oben gefullt wird; wobei vor dem Abscheiden der Fullschicht (10b) ein Schritt des Abscheidens einer Linerschicht (10a) aus undotiertem Silizium zum Auskleiden der Wande und des Bodens des Grabens (5) und Bedecken der umgebenden Struktur durchgefuhrt wird; und wobei AsH 3 , SiH 4 und H 2 als Prozessgase verwendet werden, das Verhaltnis der Masseflusse AsH 3 : SiH 4 zwischen 0,0781 und 0,109 liegt und die Uberkonformitat zwischen 120 und 150 liegt.