Procédé de formation d’un film de silicate de métal et support d’impression

La presente invention concerne un procede de formation d'un film fortement dielectrique sur un substrat de silicium, comprenant les etapes consistant a traiter la surface du substrat de silicium avec de l'acide fluorhydrique dilue, alimenter, apres l'etape de traitement avec de l'acide fluorhydrique dilue, un materiau organometallique contenant de l’hafnium et de l'azote sur la surface du substrat de silicium pour former des noyaux HfN, alimenter, apres l’etape de nucleation, un materiau organometallique contenant de l’hafnium et un materiau organique contenant du silicium sur la surface du substrat de silicium pour former un film de silicate d’hafnium au moyen d’un procede de depot chimique en phase vapeur.