CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE EN ALLIAGE Cu-Ga ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

L'invention porte sur une cible de pulverisation cathodique en alliage Cu-Ga qui permet la formation d'un film de pulverisation cathodique de Cu-Ga ayant une excellente uniformite dans la composition des composants du film (uniformite de film), permet la reduction de l'apparition de la production d'un arc electrique durant la pulverisation, presente une resistance elevee, et ne subit pas de fissuration pendant la pulverisation cathodique. De facon specifique, l'invention porte sur une cible de pulverisation cathodique en alliage Cu-Ga qui comprend un alliage a base de Cu contenant Ga, presente un diametre moyen de particule cristalline de 10 μm ou moins, et presente une porosite de 0,1% ou moins.