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塩素ガスエッチングを用いた微細MOS Elevated Source/Drainプロセス : 高選択,ダメージフリーのバッチ処理Siエッチング(研究会推薦論文,半導体材料・デバイス)
塩素ガスエッチングを用いた微細MOS Elevated Source/Drainプロセス : 高選択,ダメージフリーのバッチ処理Siエッチング(研究会推薦論文,半導体材料・デバイス)
2008
hayasi kokorozasi sugino
Unsoon Kim
Kyunghoon Min
Ning Cheng
Huaqiang Wu
Chungho Lee
Fred Cheung
Hiroyuki Kinoshita
masahiko uenisi
hisasi katou
singo tada
takasi itou
Keywords:
Radiochemistry
Materials science
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