VPE of the Hg1−xCdx Te ohmic contact layers on p‐CdTe

Hg1−xCdx Te ohmic contact layers are grown on p-CdTe bulk samples by VPE using a Hg0.2Te0.8 melt solution as a source at T = 450 to 600 °C and t = 0.5 to 8 h. It is shown that thin (r 1 h. The PL spectra of p-CdTe samples in the edge emission range at 4.2 K are investigated. The VPE process is found to reduce the Vcd concentration and to improve the uniformity of the PL spectral distribution over the samples volume. Hg1−xCdxTe Kontaktschichten werden auf p-CdTe Volumenproben durch VPE aufgewachsen. Als Ausgangsmaterial wird eine Hg0.2Te0.8 Schmelze bei T = 450 bis 600 °C fur t = 0,5 bis 8 h benutzt. Es wird gezeigt, das dunne Schichten (r 1 h hergestellt werden konnen. Das Photolumineszenzspektrum von p-CdTe Proben wird innerhalb der Emissionsgrenzen bei 4,2 K untersucht. Es wird festgestellt, das das VPE Verfahren die Vcd Konzentration reduziert, und die Uniformitat des Photolumineszenzspektrums im Probenvolumen verbessert wird.