Procédés de cuivrage en plusieurs étapes d'un film continu de ruthénium disposé sur des éléments en retrait

L’invention concerne des procedes de depot de cuivre metallique en plusieurs etapes sur un film continu de ruthenium metallique (214) dispose sur des elements en retrait (206, 207, 208, 209, 211, 213, 264, 275a, 275b) presents dans des circuits integres evolues. L'emploi d'un film continu de ruthenium metallique (214) empeche la formation de microvides indesirables au cours du remplissage avec le cuivre metallique d'elements en retrait (206, 207, 208, 209, 211, 213, 264, 275a, 275b) a grand allongement, tels que des tranchees (266) et des trous d'interconnexion (268), et permet la formation de grands grains de cuivre metallique (233) comprenant une couche continue de cuivre metallique (288) plaquee sur le film continu de ruthenium metallique (214). Les grands grains de cuivre metallique (233) diminuent la resistivite electrique des elements en retrait (206, 207, 208, 209, 211, 213, 264, 275a, 275b) remplis de cuivre et augmentent la fiabilite du circuit integre.