DEPOSISI LAPISAN a-Si:H:B PADA LAPISAN TIPIS Ag DENGAN SPUTTERING DC UNTUK BAHAN SEL SURYA

DEPOSISI LAPISAN a-Si:H:B PADA LAPISAN TIPIS Ag DENGAN SPUTTERING DC UNTUK BAHAN SEL SURYA. Telah dilakukan deposisi lapisan a-Si:H:B pada lapisan tipis Ag dengan teknik plasma sputtering DC. Proses deposisi dilakukan untuk beberapa parameter plasma yang meliputi: waktu deposisi, tekanan gas dan suhu substrat dengan tujuan dapat diperoleh beberapa lapisan tipis Ag/a-Si:H:B yang mempunyai sifat listrik yang baik. Variasi waktu deposisi (0,5 s/d 2 jam), tekanan gas (1,1s/d 1,4×10-1 Torr) dan suhu substrat (150 s/d 300 oC), sedangkan aliran gas reaktif hidrogen ditetapkan sebesar 4 sccm. Target dari bahan silikon yang telah dicampur boron dengan konsentrasi berat (0,02, 0,06, 0,10, 0,14 g). Pengukuran sifat listrik dilakukan dengan menggunakan probe empat titik dan konduktivitas dihitung dengan pendekatan rumus matematik. Hasil penelitian menunjukkan bahwa nilai resistansi terkecil sebesar 1950 Ω diperoleh untuk lapisan tipis Ag/a-Si:H:B yang dideposisikan pada kondisi percobaan, waktu deposisi 1,5 jam, tekanan gas 1,3×10-1 Torr and suhu substrat 200 oC dengan konsentrasi berat boron 0,6g. Dengan demikian dapat disimpulkan bahwa parameter tersebut diatas merupakan parameter deposisi yang optimum dalam pembuatan lapisan a-Si:H:B pada lapisan tipis Ag.