Procédé pour traiter un film de carbone amorphe, et procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur utilisant ledit procédé

L'invention concerne un procede pour traiter un film de carbone amorphe forme sur un substrat et nettoye en phase humide apres avoir ete grave a sec. Le procede comprend une etape de preparation du substrat comprenant le film de carbone amorphe sur lequel le nettoyage en phase humide a ete realise, et une etape de modification d'une surface du film de carbone amorphe avant de former une couche superieure sur le film de carbone amorphe apres avoir realise le nettoyage en phase humide.