Verfahren zum herstellen einer halbleiterspeichereinrichtung

Es wird ein besonders einfaches Herstellungsverfahren fur Halbleiterspeichereinrichtungen (1) vorgestellt, bei welchem Diffusionsbarrieren (30f) zwischen lateral angeordneten Speicherelementen (20) durch Abscheiden eines Materialbereichs fur einen ersten Passivierungsbereich (30) und durch nachfolgendes Polieren mit Stopp auf einem im Wesentlichen gemeinsamen Niveau (26a) der Speicherelemente davon ausgebildet werden.