Depot en phase vapeur de matieres de silicate de hafnium utilisant du tris(dimethylamido)silane

Dans un mode de realisation, l'invention concerne un procede permettant de former une matiere dielectrique morphologiquement stable et qui comporte les etapes consistant a: exposer un substrat a un precurseur de hafnium, a un precurseur de silicium et a un gaz oxydant pour former une matiere de silicate de hafnium pendant un procede de depot chimique en phase vapeur; et soumettre ulterieurement et facultativement le substrat a un recuit post-depot, a un procede de nitruration et a un procede de recuit thermique. Dans certains exemples, les precurseurs de hafnium et de silicium utilises pendant le procede de depot chimique en phase vapeur organometallique sont des composes alkylamino tels que le tetrakis(diethylamido) hafnium (TDEAH) et le tris(dimethylamido) silane (Tris-DMAS). Dans un autre mode de realisation, d'autres precurseurs metalliques sont utilises pour former divers silicates metalliques contenant du tantale, du titane, de l'aluminium, du zirconium, du lanthane ou des combinaisons de ceux-ci.