Film de carbone amorphe, dispositif semi-conducteur, procédé de formation de film, appareil de formation de film et support de stockage

L'invention concerne un film de carbone amorphe dote d'une elasticite elevee et d'un faible taux de contraction thermique avec une constante dielectrique specifique supprimee, un dispositif semi-conducteur dote dudit film et une technologie destinee a former le film de carbone amorphe. Le film de carbone amorphe est forme en controlant une quantite de silicium (Si) ajoutee pendant la formation du film, ce qui permet d'obtenir un film de carbone amorphe ayant une elasticite elevee, un faible taux de contraction thermique et une constante dielectrique specifique supprimee de 3,3 ou moins. Le film de l'invention permet d'eviter les problemes tels que le decollement du film, quand ledit film est utilise pour configurer un dispositif semi-conducteur.