Effect of Varying Sputtering Power Levels on YBaCuO Film Composition

R.F. diode sputtering technique is used to deposit superconducting thin films of YBaCuO on various substrates from a single composite target. Sputtering power levels of 50, 100, and 150 W are used to study the effects of different power levels on the composition and deposition profiles of the films. The as-deposited films show a strong radial variation in composition. A circular ring like pattern with little or no film deposition in the center of the substrate is observed for all three power levels. This is believed to be due to the resputtering effects from negative ion and energetic neutral particle bombardment. Energy dispersive spectrum results indicate that copper is uniformly distributed across the substrate, compared to Ba which is deficient near the center of the substrate. Films deposited on SrTiO3 substrates exhibit regions of fractal growth which was 123 composition. HF-Diodensputtern wird benutzt, um supraleitende dunne YBaCuO-Schichtcn auf verschiedenen Substraten von einem Ein-Komposittarget abzuscheiden. Sputterleistungen von 50, 100 und 150 W werden benutzt. um den Einfiu s unterschiedlicher Leistungsniveaus auf die Zusammensetzung und Abscheidungsprofile der Schichten zu untersuchen. Die ursprunglichen Schichten zeigen eine starke radiale Anderung in der Zusammensetzung. Ein kreisringahnliches Muster mit geringer oder fehlender Abscheidung wird im Zentrum des Substrats fur alle drei Leistungen beobachtet. Es wird angenommen, da s dies durch Resputtereffekte durch Bombardement mit negativen lonen und energetisch neutralen Teilchen hervorgerufen wird. Energiedispersive Spektren zeigen, das Kupfer sber dem Substrat gleichformig verteilt ist, im Vergleich zu Ba, das im Zentrum des Substrats defizient ist. Auf SrTiO3-Substraten abgeschiedene Schichten zeigen Bereichc mit fraktalem Wachstum, das 123-Zusammcnsetzung hat.