Procédé de formation de couches de recouvrement en métal de ruthénium

L'invention concerne un procede pour integrer un depot de metal de ruthenium (Ru) dans la fabrication de dispositifs a semi-conducteur afin d’ameliorer une electromigration et une migration de contrainte dans du metal de cuivre (Cu). Des modes de realisation de l'invention comprennent le traitement de substrats pourvus d'un motif contenant des couches metalliques et des materiaux dielectriques a faible k avec des radicaux NHx (x ≤ 3) et des radicaux H pour ameliorer la formation selective de couches de recouvrement de Ru sur les couches metalliques par rapport aux materiaux dielectriques a faible k.