Procédé et appareil de nitruration sélective en une seule étape

L'invention porte sur des procedes et sur un appareil pour la nitruration selective en une seule etape de substrats semi-conducteurs. De l'azote est selectivement incorpore dans des regions de silicium d'un substrat semi-conducteur possedant des regions de silicium et des regions d'oxyde de silicium a l'aide d'un procede de nitruration selective. Des radicaux contenant de l'azote peuvent etre diriges vers le substrat par la formation d'un plasma contenant de l'azote et par la filtration ou l'elimination d'ions du plasma, ou bien un procede de nitruration thermique utilisant des precurseurs selectifs peut etre effectue. Un generateur de plasma situe a distance peut etre raccorde a une chambre de traitement, contenant eventuellement un ou plusieurs filtres ioniques, une ou plusieurs pommes de douche et un ou plusieurs repartiteurs de radicaux libres, ou bien un plasma peut etre produit in situ et un ou plusieurs filtres ioniques ou ecrans ioniques peuvent etre disposes dans la chambre entre la zone de production de plasma et le support de substrat.