プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体
2007
【課題】従来に比べてマスクとしての有機膜層に対するシリコン含有誘電層の選択比を向上させることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。 【解決手段】フォトレジスト膜102をマスクとしフォトレジスト膜102に対して、SiO 2 膜101を選択的にプラズマエッチングしてホール104を形成する。プラズマエッチングには、C 6 F 6 ガスと、希ガスと、酸素ガスとを含み、C 6 F 6 ガスに対する酸素ガスの流量比(酸素ガス流量/C 6 F 6 ガス流量)が2.8〜3.3の処理ガスを用い、この処理ガスからプラズマを生成する。 【選択図】図1
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