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40nm Flash混載プロセスを使用した170℃動作可能な超低電力SRAM (シリコン材料・デバイス)
40nm Flash混載プロセスを使用した170℃動作可能な超低電力SRAM (シリコン材料・デバイス)
2014
ka kou yokoyama
yuuitirou isii
ei juu kozima
atusi miyanisi
yosiki tuzi hasi
nin asayama
kazutosi siba
kouzi tanaka
tatuya fukuda
kouzi sinkyo
kazumasa yanagisawa
Keywords:
Embedded system
Computer science
Microcontroller
Static random-access memory
Electrical engineering
Materials science
leakage power
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