Motifs à pas réduit par rapport à des caractéristiques photolithographiques

L’invention permet de former des caracteristiques de taille differente dans un circuit integre (100) par attaque chimique d’un substrat (110) a l’aide d’un masque que l’on obtient en combinant deux motifs formes separement (177) et (230). On utilise la multiplication des pas pour constituer les caracteristiques relativement petites (175) du premier motif (177) et une photolithographie conventionnelle pour constituer les caracteristiques relativement grandes du second motif (230). La multiplication des pas passe par la mise en motifs d’un photoresist, avant attaque chimique de ce motif pour former une couche de carbone amorphe. Des entretoises laterales (175) sont ensuite constituees sur les parois laterales du carbone amorphe. On retire le carbone amorphe, laissant derriere les entretoises laterales (175), qui definissent le premier motif de masque (177). On depose ensuite une couche antireflet inferieure (BARC) autour des entretoises (175) pour constituer une surface plane et une couche de photoresist est formee au-dessus de la BARC. On met ensuite en motifs le photoresist par photolithographie conventionnelle pour constituer le second motif (230), que l’on transfere alors a la BARC. Le motif combine (177, 230) constitue par le premier motif (177) et le second motif (230) est transfere a une couche de silicium amorphe sous-jacente (150) avant de soumettre le motif a un depouillement de carbone pour retirer la BARC et le materiau photoresist. Le motif combine (177, 230) est ensuite transfere a la couche d’oxyde de silicium (155), puis a une couche de masque de carbone amorphe (160). Le motif de masque combine (177, 230) ayant des caracteristiques de differentes tailles, subit ensuite une attaque chimique pour former le substrat sous-jacent (110) a travers la couche de masque dure de carbone amorphe (160).