Etude des effets parasites affectant le fonctionnement des transistors à effet de champ à gaz d'électrons bidimensionnel

A study of the parasitic effects detrinental to the operation of two-dimensional electron gas field effect transistors (HEMTs) has been carried-out. These effects are strongly process-dependent. An experimental investigation and numerical simulations of the device permit the physical origin of these effects to be demonstrated: the residual doping level of the GaAs layer is a main parameter. We equally show that the epilayer growth parameters strongly influence on these effects Nous avons mene une etude des effets parasites presentes par les transistors a effet de champ a gaz d'electrons bidimensionnel (HEMT). Ces effets sont etroitement lies a la technologie d'elaboration des composants. L'etude experimentale, couplee a la simulation numerique du dispositif a permis de montrer l'origine physique de ces effets: le dopage residuel de la couche de GaAs y joue un role preponderant. L'etude montre egalement la sensibilite de ces effets aux parametres technologiques de croissance des couches