The plasma processing apparatus and microcrystalline silicon film forming method

このプラズマ処理装置は、チャンバ（２）と、電極フランジ（４）と、絶縁フランジ（８１）とから構成され、反応室（α）を有する処理室と、前記反応室（α）内に収容され、基板（１０）が載置される支持部（１５）と、前記反応室（α）内に収容され、前記基板（１０）に対向するように配置され、前記基板（１０）に向けてプロセスガスを供給するシャワープレート（５）と、前記電極フランジ（４）と前記シャワープレート（５）との間の空間（３１）内に設けられ、複数のガス導入口（３４）の各々に連通し、同心状かつ環状に配置され、前記シャワープレート（５）に向けて異なる組成の前記プロセスガスを独立して供給する複数のガス供給部（８）と、前記シャワープレート（５）と前記支持部（１５）との間に電圧を印加す 電圧印加部（３３）とを含む。