Appareil et procédé de dopage par plasma de gaz pulsé

L'invention porte sur un procede et un appareil pour le dopage d'une surface d'un substrat avec un dopant, le dopant etant par exemple de la phosphine ou de l'arsine. Le dopage est effectue avec un plasma constitue principalement d'un gaz inerte tel que l'helium ou l'argon, avec une faible concentration du dopant. Pour assurer un dopage conforme, de preference pour former une monocouche du dopant, le lieu d'introduction de flux de gaz est commute pendant le processus de dopage, le melange gazeux etant principalement introduit par un orifice superieur central dans la chambre de traitement pendant une premiere duree suivie de l'introduction du melange gazeux principalement par des orifices d'injection peripheriques ou de bord pendant une seconde duree, la commutation se poursuivant d'une maniere alternee pendant le traitement par plasma.