Formation de finfet à base de silicium-germanium par condensation de ge

La presente invention concerne un procede de formation d'une ailette semiconductrice d'un dispositif FinFET qui consiste a deposer de maniere conforme un film mince amorphe ou polycristallin de silicium-germanium (SiGe) sur l'ailette semiconductrice. Le procede consiste egalement a oxyder le film mince amorphe ou polycristallin afin de diffuser le germanium du film mince amorphe ou polycristallin a l'interieur de l'ailette semiconductrice. Un tel procede consiste en outre a eliminer une partie oxydee du film mince amorphe ou polycristallin.