Barriere d'azote sous les regions source/drain d'un transistor retardant la diffusion des dopants

L'invention porte sur une region a implantation d'azote situee sensiblement sous et a cote de la region source/drain d'un IGFET et constituant une barriere retardant la diffusion des atomes dopants de la source et du drain lors d'operations ulterieures de traitement thermiques telles que le recuit. La couche d'azote peut etre formee en implantant l'azote a une profondeur donnee avant d'implanter les dopants de la source et du drain a une profondeur moindre. De l'azote peut egalement etre introduit dans les regions du canal de l'IGFET sous l'electrode grille pour retarder la diffusion laterale ulterieure des atomes dopants de la source et du drain. Cette introduction d'azote peut s'effectuer en une ou plusieurs phases d'implantation oblique, ou par recuit d'une couche d'azote implantee a l'aide d'un implant perpendiculaire au droit de l'electrode grille. On peut former la barriere sur le cote drain de l'IGFET ou a la fois du cote drain et du cote source et soit sous une region drain et/ou source faiblement ou fortement dopee. Une telle barriere, particulierement interessante dans le cas des regions source/drain dopees au bore, peut se combiner a des IGFET a canal N formes sans de telles barrieres.