Spin‐Coatable Inorganic Resists Based on Novel Peroxopolyniobotungstic Acids for Bilayer Lithography

De nouveaux polyacides peroxo bases sur le tungstene et le niobium (Nb-HPA) sont synthetises et etudies comme materiaux pour resists mineraux negatifs en microlithographie. Les couches minces amorphes et sans microstructure obtenues a partir de leur solution aqueuse par centrifugation sont sensibles a l'ultraviolet lointain (lampe Xe-Hg) aux faisceaux electroniques (30 kV) et aux rayons X (Mo-L). La resistivite a la gravure ionique reactive par O 2 d'une couche de Nb-HPA est 50 fois plus grande que celle de la resine d'imide polymere. On obtient des traces de lignes de finesse 0,2 μm avec un rapport d'aspect de 7,5 par un processus de couche double d'imide polymere (d'epaisseur 1,5 μm) et Nb-HPA en surface (epaisseur 1,5 μm) et Nb-HPA en surface (epaisseur 0,1 μm) sous faisceau electronique