Liquide de polissage chimico-mécanique et procédé de polissage de substrat l'utilisant

L'invention porte sur un liquide de polissage chimico-mecanique (CMP) pour le polissage d'un substrat presentant une couche contenant du ruthenium, qui contient un agent oxydant, une particule de polissage, de l'eau et un compose possedant une structure representee par la formule (1) ci-apres ou un sel de celui-ci. Ce liquide de polissage chimico-mecanique est ameliore, au moins pour la vitesse de polissage d'une couche de ruthenium, par rapport a des liquides de polissage classiques. L'invention porte egalement sur un procede de polissage d'un substrat a l'aide d'un tel liquide de polissage chimico-mecanique. [formule chimique 1] (1)