Dispositif semi-conducteur en carbure de silicium et procédé de fabrication de celui-ci

L'invention concerne un dispositif semi-conducteur en carbure de silicium dans lequel une intensite de champ electrique d'un film isolant de grille est relaxee, et une resistance a l'etat passant est faible. Le dispositif semi-conducteur en carbure de silicium possede : un substrat en carbure de silicium de type n (1) ; une couche de derive (2) formee sur la surface superieure du substrat en carbure de silicium de type n (1) ; une tranchee (7), qui est formee dans la couche de derive (2), et qui possede un film d'isolation de grille (8) et une electrode de grille (9) a l'interieur ; une region de puits a concentration elevee de type p (6), qui est formee en parallele a la tranchee (7) en etant espacee de la tranchee, et qui est plus profonde que la tranchee (7) ; et une region de corps de type p (4), qui est formee de maniere graduelle plus profondement vers une extremite inferieure de la region de puits a concentration elevee de type p (6) a partir d'une position plus en direction du cote surface superieure qu'une extremite de partie de fond de la tranchee (7) vers l'extremite de l'epaisseur du film d'isolation de grille (8) sur la partie de fond de la tranchee (7).