基板配線形成方法、基板配線形成装置、及びめっき抑制物質転写スタンプ

2005 
【課題】 断線等の不具合の発生を抑制し、CMP工程に要する時間を適正な範囲に抑え、めっき工程終了時点及びCMP工程で十分な平坦化ができ、余剰な金属を余すことなく除去でき、シード層、バリア層、絶縁層等の間に剥離を生じることなく、且つディシングやエロージョンを生じることもないような金属めっき膜を電解めっきにより基板に形成して基板配線を形成する基板配線形成方法、装置,及びめっき抑制物質転写スタンプを提供すること。 【解決手段】 基板10に形成された配線溝やコンタクトホール等の凹部11を電解めっきにより銅13で埋め込み配線を形成する基板配線形成方法において、基板の凹部11内表面を除く該基板10の最表面にめっきを抑制するめっき抑制物質(インク4)を付着させる工程、電解めっきを行う工程、めっき抑制物質(インク4)を離脱させる工程、さらに電解めっきを行う工程を備えた。 【選択図】図7
    • Correction
    • Source
    • Cite
    • Save
    • Machine Reading By IdeaReader
    0
    References
    0
    Citations
    NaN
    KQI
    []